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USHIO照度計廣泛應(yīng)用于光化學(xué)、高分子材料老化、醫(yī)療消毒、環(huán)保監(jiān)測、食品加工等多個領(lǐng)域，用于監(jiān)測紫外線對化學(xué)物質(zhì)的影響、評估紫外線消毒效果、監(jiān)測紫外線對大氣和水體的影響等。在使用時，應(yīng)避免其他光源的干擾，以確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。同時，定期進行校準(zhǔn)和維護，也是保證其長期穩(wěn)定性和可靠性的重要措施。USHIO照度計在使用過程中可能會遇到問題，影響其測量精度和穩(wěn)定性。以下是常見問題及其相應(yīng)的解決方法，幫助用戶更好地維護和使用。1、測量結(jié)果不準(zhǔn)確測量結(jié)果不準(zhǔn)確可能由傳感器老化、校準(zhǔn)失...

高壓開關(guān)柜是一種組合式電器，它可以集斷路器、負荷開關(guān)、接觸器、隔離開關(guān)、熔斷器、互感器、避雷器、電容器、母線以及相應(yīng)的測量裝置、信號裝置、連鎖裝置和通信系統(tǒng)等電氣設(shè)備于一個長方柜的金屬外殼內(nèi)。高壓開關(guān)柜主要劣化因素由于各種原因，運行中的高壓開關(guān)柜會隨著時間的推移發(fā)生劣化，并且時時影響著電網(wǎng)的安全。主要劣化因素有：（1）熱劣化。由于設(shè)備運行中的溫度升高導(dǎo)致絕緣性能下降。（2）電劣化。絕緣材料的電場集中處會導(dǎo)致絕緣性能下降。（3）機械劣化。機械應(yīng)力導(dǎo)致的零件損壞、變形、龜裂和磨損...

在高頻開關(guān)電源中，應(yīng)用壓電（Piezo-e1ectric）變壓器（簡稱PET）可以使開關(guān)電源實現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。例如，一臺DC/DC開關(guān)電源中的PET，其DC/DC轉(zhuǎn)換器輸人為有源鉗位ZVS逆變電路，產(chǎn)生梯形波交流電，經(jīng)過PET輸出給整流濾波電路。這里應(yīng)指明的是，PET不屬于磁元件的范圍。壓電變壓器是利用壓電陶瓷材料te有的電壓一振動轉(zhuǎn)換和振動一電壓轉(zhuǎn)換的性質(zhì)傳送電能的，其等效電路如同一個串并聯(lián)諧振電路。它是功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的研究熱點之一，研究的內(nèi)容包括：壓電材料的損耗評...

對于低電壓大電流輸出的開關(guān)電源，進一步提高其效率的措施是：在應(yīng)用軟開關(guān)技術(shù)的基礎(chǔ)上，以功率MOS管反接作為整流用開關(guān)二極管，稱為同步整流（SynchronousRectifier，SR），用皿代替肖特基二極管（SBD）可以降低整流管壓降，從而提高開關(guān)電源的效率。有報道稱，應(yīng)用軟開關(guān)和同步整流技術(shù)的小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源，48/12V模塊的效率可以達到96％、48％/5V模塊的效率可以達到92％～93％。日本在一臺100W的軟開關(guān)（ZVS）開關(guān)電源上試驗的結(jié)果是，用SB...

1980年以前，開關(guān)電源中PWMDC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率為20～50kHz，從1980年起，提高開關(guān)頻率成為減少開關(guān)電源尺寸的有效手段，同時也改善了開關(guān)電源的動態(tài)性能。現(xiàn)在⒛0～500kHz已成為輸出100W以下開關(guān)電源的標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)頻率。特殊制造的小功率開關(guān)電源，其開關(guān)頻率已經(jīng)達到了幾兆赫。如表給出了20世紀(jì)70年代以后的30年，通信和計算機用開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器高功率密度的發(fā)展進程。可見，高頻化、高功率密度和高效率是開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展進步的重要標(biāo)志。高效率和軟開關(guān)技術(shù)PW...

現(xiàn)階段市場上使用的塑料加工機械的加熱方式是的電熱圈發(fā)熱，再傳導(dǎo)到料筒上，存在熱傳導(dǎo)損失，并導(dǎo)致環(huán)境溫度上升。只有緊靠在料筒表面內(nèi)圈的熱量傳導(dǎo)到料筒上，而外圈的熱量大部分散失到空氣中，造成熱量的損失。而電磁加熱技術(shù)是使金屬料筒自身發(fā)熱，而且料筒外部又包裹著隔熱保溫材料，大大減少了熱傳導(dǎo)損失和熱量對空氣的散失，提高了熱效率，避免了環(huán)境溫度的上升，因此節(jié)電效果十分顯著，可達30％～75％，因此電磁加熱圈本身并不發(fā)熱，而且是采用陶瓷材料和高溫電纜制造，所以不存在原電熱圈的電阻絲在高溫...

在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕，是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，通過經(jīng)光刻而開出的掩蔽層窗口，與暴露于等離子體中的硅片行物理和化學(xué)反應(yīng)，刻蝕掉硅片上暴露的表面材料的一種工藝技術(shù)法[1]。該工藝技術(shù)的突出優(yōu)點在于，可以獲得極其精確的特征圖形。超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，要求微細化加工工藝能夠嚴格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成極其精確的圖形轉(zhuǎn)移。任何偏離工藝要求的圖形或尺寸，都可能直接影響產(chǎn)品性能或品質(zhì)，給生產(chǎn)帶來無法彌補的損害。由于干法刻蝕技術(shù)在圖形...

刻蝕，是指用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程?？涛g的基本目的，是在涂膠(或有掩膜)的硅片上正確的復(fù)制出掩膜圖形。刻蝕，通常是在光刻工藝之后進行。我們通常通過刻蝕，在光刻工藝之后，將想要的圖形留在硅片上。從這一角度而言，刻蝕可以被稱之為最終的和最主要的圖形轉(zhuǎn)移工藝步驟。在通常的刻蝕過程中，有圖形的光刻膠層〔或掩膜層)將不受到腐蝕源顯著的侵蝕或刻蝕，可作為掩蔽膜，保護硅片上的部分特殊區(qū)域，而未被光刻膠保護的區(qū)域，則被選擇性的刻蝕掉。